Одним из наиболее перспективных кандидатов на роль универсальной памяти многие специалисты считали магниторезистивную память (magnetoresistive random-access memory, MRAM). Похоже, что такая точка зрения имела под собой серьезные основания.

Например, определенных успехов в разработке MRAM добились компании Toshiba и NEC, а компания Freescale Semiconductor, выделившаяся из Motorola в июле 2004 года, вчера объявила о коммерческой доступности 4-Мбитных чипов MRAM, в которых быстродействие и длительный срок службы сочетаются со способностью хранить информацию в отсутствие источника питания.

Память MRAM, как следует из названия, использует для хранения данных магнитные свойства вещества, а не электрические. В отличие от флэш-памяти, которая также способна сохранять информацию в отсутствие питания, MRAM обеспечивает высокую скорость записи и чтения, и не деградирует со временем.

По мнению Уилла Страуса (Will Strauss), аналитика компании Forward Concepts, MRAM – наиболее значительное новшество в области памяти за последнее десятилетие. Универсальность MRAM может помочь новой продукции вытеснить привычную сейчас память с произвольным доступом и флэш-память из различных электронных устройств, таких, как ПК, сотовые телефоны, проигрыватели, камеры, бытовые техника, приборы бортовой электроники.

По имеющимся данным, компания Freescale, затратившая на исследования около 10 лет (с учетом работы в составе Motorola), уже имеет заказчиков, заинтересованных в новой памяти, хотя их имена пока не названы. Известно также, что Freescale не планирует массового производства чипов, отдавая предпочтение продаже лицензий на выпуск нового типа памяти другим компаниям. Между тем, по данным аналитической компании iSuppli, к 2019 году объем рынка универсальной памяти превысит 76 млрд. долл.